•产品描述: 

U1H1L3N2D 是一款工作电压达到500V的高性能 半桥 IPM(Intelligent Power Module)，即智能功率模 块。是一种高度集成的半导体器件，内部集成半桥驱 动芯片和高速功率 MOSFET，具备体积小，性能高， 散热好等优点。 U1H1L3N2D的高度集成性和丰富的功能使其成为 各种工业和商业应用中的理想选择，能够提高系统性 能和可靠性。

•主要特点:

内置自举二极管 l 悬浮绝对电压: 500V l 内置 500V/3A MOSFET l 负瞬态电压高 l 栅极驱动电压范围 10V~20V l 输入逻辑兼容3.3V、5V l 集成VCC和VBS欠压保护 l 防交叉传导逻辑 l 两双通道的匹配传播延迟

•典型应用:

● 高速风筒 ●风扇 ● 电动工具

•简易原理图 

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