描述
ap3910gd采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优异的Ros(On)。它可以用于各种各样的应用。
一般特征
N通道
●Vos =30V,Io=36ARos(on)<12mΩ @Vss=10VRos(on)<15m0@Vgs=4.5V
p通道
●Vos =-30V,Io =-30ARos(on)<14m0@Vcs=-10VRos(on)<20mO@Vgs=-4.5V●高密度电池设计，超低功耗●充分描述雪崩电压和电流●高EAs稳定性和均匀性●优良封装，良好散热●特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序
●h桥式●逆变器

原理图

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