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描述AP2012采用先进的沟槽技术,提供卓越的电流(On),低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。一般特征●Vos=20V,Io=12ARosjoN)<11mQ@Vcs=4.5VRosjoN)<13mΩ@Vcs=2.5V●高功率和电流能力●获得无铅产品●表面贴装封装应用程序●单向负载开关●双向负载开关
原理图
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