描述
AP2012采用先进的沟槽技术，提供卓越的电流(On)，低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
一般特征
●Vos=20V,Io=12ARosjoN)<11mQ@Vcs=4.5VRosjoN)<13mΩ@Vcs=2.5V●高功率和电流能力●获得无铅产品●表面贴装封装
应用程序
●单向负载开关●双向负载开关

原理图

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