描述
AP3003采用先进的沟槽技术,提供优异的Rosionj,低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
一般特征
●N-Channel●Vos=30V,Io=4.2ARos(on)<24mQ@Vcs=10VRos(on)<28mQ@Vcs=4.5V●P-ChannelVos=-30V,Io=-3.7ARos(on)< 65 m0@Vos=-10VRos(on)<85 m0@Vgs=-4.5V●低导通电阻●低输入电容●快速开关速度●低输入/输出泄漏●无卤素
原理图
Copyright © 2015-2023 绍兴宇力半导体有限公司 浙公网安备33060202001577 浙ICP备2020037221号-1
技术支持:蓝韵网络