U4315

•产品描述:U4315/6是高压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道,用于3相应用。专有的HVIC技术使坚固的整体结构成为可能。逻辑输入兼容CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。终止所有六个输出的电流跳闸函数可以从外部电流检测电阻导出。可以使用enable函数同时终止所有六个输出。漏开故障信号表示发生过流或欠压停机。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延迟后,过流故障条件自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配,以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动N通道功率mosfet或igbt的高侧配置,其工作电压高达600 V。

•主要特点:浮动通道设计用于自启动操作,完全工作到+ 600v,可承受负瞬态电压,栅极驱动供电范围从10v到20v,所有通道欠压锁定,过流关断关闭所有六个驱动器,独立的3个半桥驱动器,所有通道匹配的传播延迟,交叉传导防止逻辑,低侧输出与输入失相。3.3 V逻辑兼容,低电压栅极驱动,抗噪性更好,外部可编程延迟,故障自动清除,所有部件均无铅

•典型应用:三相电机驱动;直流-交流逆变器

•典型应用电路: 

 

 



规格书下载点击此处 

浙江
绍兴市越城区斗门街道袍渎路25号中节能科创园45幢4/5楼
电话:86-0575-85087896/189 6955 0959
传真:86-0575-88125157
邮箱:htw@uni-semic.com
深圳
深圳市宝安区航城街道三围社区南昌路上合工业园B2栋501
电话:86-0755-84510976/ 186 8893 5081/ 138 2367 5600
传真:86-0755-23956317
邮箱:htw@uni-semic.com
中国台湾
中国台湾台北市中山区松江路295號东方大厦12楼
电话:886-2-32346767
传真:886-2-32346768
邮箱:htw@uni-semic.com
中国香港
香港新界北区粉岭老围村46号一楼
电话:085-2-26778307
传真:085-2-26778306
邮箱:htw@uni-semic.com
无锡
江苏省无锡市锡山区先锋中路6号中国电子(无锡)数字芯城1#综合楼503室
电话:0510-85297939/18012476677
邮箱:htw@uni-semic.com
绍兴市越城区斗门街道袍渎路25号中节能科创园45幢4/5楼
内贸部:
电话:86-0575-85087896/189 6955 0959
传真:86-0575-88125157
邮箱:htw@uni-semic.com
国贸部:
电话:86-0575-85087896/189 5751 4882
传真:86-0575-88125157
邮箱:angela@uni-semic.com

Copyright © 2015-2023 绍兴宇力半导体有限公司 浙公网安备33060202001577 浙ICP备2020037221号-1

技术支持:蓝韵网络