•产品描述:UNI2113S/P是高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片结构成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动chan通道可用于驱动n通道功率MOSFET或IGBT在高侧配置，其工作电压高达600伏。

•主要特点:浮动通道设计用于引导操作;完全工作到+600V;容忍负瞬态电压v /dt免疫;栅极驱动供电范围从10到20V;两个通道都有欠压锁定;3.3V逻辑兼容;3.3V到20V的独立逻辑供电范围;逻辑与电源接地+5V偏移

•典型应用:家用电器;工业应用和驱动;电机驱动器;直流、交流、PMDC和PMAC电机;

•典型应用电路: 

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