U2104M

•产品描述:U2104M完全工作到+600V是高压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600伏。

•主要特点:集成自举二极管;为自举操作而设计的浮动通道;完全工作到+600V;容忍负瞬态电压v /dt免疫;栅极驱动供电范围从4.8到20v;欠压锁定;3.3V, 5V和15V输入逻辑兼容;交叉传导防止逻辑;内部设置死区时间;高侧输出与输入相一致

•典型应用:家用电器;工业应用和驱动器;电机驱动器;DC-AC转换器,PMDC和pmac电机;感应加热;暖通空调

•典型应用电路: 

规格书下载点击此处


浙江
绍兴市越城区斗门街道袍渎路25号中节能科创园45幢4/5楼
电话:86-0575-85087896/189 6955 0959
传真:86-0575-88125157
邮箱:htw@uni-semic.com
深圳
深圳市宝安区航城街道三围社区南昌路上合工业园B2栋501
电话:86-0755-84510976/ 186 8893 5081/ 138 2367 5600
传真:86-0755-23956317
邮箱:htw@uni-semic.com
中国台湾
中国台湾台北市中山区松江路295號东方大厦12楼
电话:886-2-32346767
传真:886-2-32346768
邮箱:htw@uni-semic.com
中国香港
香港新界北区粉岭老围村46号一楼
电话:085-2-26778307
传真:085-2-26778306
邮箱:htw@uni-semic.com
无锡
江苏省无锡市锡山区先锋中路6号中国电子(无锡)数字芯城1#综合楼503室
电话:0510-85297939/18012476677
邮箱:htw@uni-semic.com
绍兴市越城区斗门街道袍渎路25号中节能科创园45幢4/5楼
内贸部:
电话:86-0575-85087896/189 6955 0959
传真:86-0575-88125157
邮箱:htw@uni-semic.com
国贸部:
电话:86-0575-85087896/189 5751 4882
传真:86-0575-88125157
邮箱:angela@uni-semic.com

Copyright © 2015-2023 绍兴宇力半导体有限公司 浙公网安备33060202001577 浙ICP备2020037221号-1

技术支持:蓝韵网络