MOS管驱动电阻器，和双极浸提管不同的点，在于MOS管是电压控制型器件，在应用过程中，相当于一个开关，漏极和源极之间有一个寄生二极管，它的驱动会相对比较复杂一些。

MOS管导通=开关闭合，导通后即有导通电阻，电流通过产生消耗能量，即导通损耗。

应用选择：MOS管导通小电阻。

MOS管场效应管开关速度：导通与截止有一个过程，两端电压下降过程，流过的电流上升过程，此时

电压X电流=MOS管损耗 即开关损耗

开关损耗 > 导通损耗

开关频率越快，损耗越大

实际应用减小开关损耗方法

缩短开关时间：可减小每次导通时损耗；

降低开关频率：可减小单位时间内开与关的次数

栅极电压VGS

MOS管场效应管GS与GD间存有寄生电容，驱动MOS管实际是此电容充放电；

因电阻值大小影响开关速度，即影响MOS管开关损耗，MOS管场效应管栅极电阻器的电阻值应当选择最适合的。

MOS管在线性区即电压低于夹断电压中运行，此时导通电阻较低，

开关应用：可在低VDS区中用MOS管降低导通电阻。

栅极电压VGS >阈值电压Vth，MOS管导通。

VGS越高，RDS(ON)值越低

温度越高，RDS(ON)值越高

减少损耗方法：

VGS增大，减小电子元器件应用时电流水平下电阻，即降低稳态损耗；

VGS值高，使高频开关下驱动损耗与总损耗比率增大，因此选择合适的MOS管及栅极驱动电压很重要，常用导通电压Vth：4V，10V

栅极电阻器如何选择

MOS管场效应管栅极端子上连接电阻器

此栅极电阻器作用：抑制尖峰电流 + 减少输出振铃

栅极电阻器大：降低开关速度，即会使功率损耗增大+性能降低+发热；

栅极电阻器小：提高开关速度，即会引发电压尖峰和振荡 + 电子元器件损坏或故障；

解决方案：

1.选择最佳栅极电阻器；

2.调节栅极电阻器值，改善开关速度；

3.用不同栅极电阻器开通或关断MOS管场效应管；

虽然驱动电路比较复杂，MOS管的开关特性独一无二，无法取代的，MOS管从开关电源、马达驱动、照明调光向汽车电子、新能源电力方面做相应的推广。