在光耦驱动电路中，MOS管的驱动电流需要特别的计算，计算的公式也有很多版本，在本文中讲了一些具体的解法，大家对于这部分内容感兴趣的话，可以了解一下。

有人可能会这样计算：

开通电流
Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA

关断电流
Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。

于是乎得出这样的结论，驱动电流只需 300mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。

应该怎么计算才对呢？其实应该是这样的，根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I=Q/t，获得了具体MOS管Qg数据，和我们线路的电流能力，就可以获得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的时候，Qg=105nC。如果用1A的驱动能力去驱动，就可以得到最快105nS的开关速度。

当然这也只能估算出驱动电流的数值，还需进一步测试MOS管的过冲波形。在设计驱动电路的时候，一般在MOS管前面串一个10Ω左右的电阻（根据测试波形调整参数）。

这里要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算。