mos管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道mos管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。

MOS管的驱动电路有两个要点：

1、瞬态驱动电流要够大，所谓驱动MOS管，主要就是对MOS管门极的寄生电容的充电放电，也就是打开和关闭MOS管

2、NMOS的Vgs（门-源电压）高于4V即可导通，PMOS的Vgs（门-源电压）低于4V即可导通

直接驱动NMOS

R1为负载

仅适用于NMOS低端驱动，因为NMOS导通的条件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波刚好满足要求（3.3V的低压单片机这里就有无法完全打开NMOS的风险，表现为MOS发热，或者负载两端电压过低）

推挽输出

R1为负载

这个电路是共射极放大电路，主要是起到放大MOS管门极的驱动电流，不能放大电压，

适用于NMOS低端驱动，单片机直接驱动MOS管的门极时，电流不够，开关速度过慢，MOS管发热时，可以增加驱动电流，实现更快速的MOS管的开关

一种变换电压的推挽式驱动电路

R3为负载

如果采用PMOS作为高端驱动的话，那么关断PMOS就要使门极电压至少等于源极电压

采用两个NPN三极管+ 一个二极管，实现给PMOS门极0V~12V的快速变换

当然也可以用于NMOS的低端驱动

此电路同时适用于3.3V输出的单片机