大多数电子技术在电源模块中发展的趋势是低电压和大电流，而同步整流技术相比较其他技术而言，是高效低损耗方法，通过控制功率MOSFET的驱动电路，实现整流功能。

同步整流技术的应用

同步整流技术出现较早，但早期的技术很难转换为产品，这是由于当时

1）驱动技术不成熟，可靠性不高，现在技术已逐步成熟，出现了专用同步整流驱动芯片，如U321等；

2）专用配套的低导通电阻功率MOSFET还未投放市场；

3）还未采用MOSFET并联肖特基二极管以降低寄生二极管的导通损耗；

4）在产品设计中没有解决分布电感对MOSFET开关损耗的影响。

经过这几年的发展，同步整流技术已经成熟，由于开发成本的原因，目前只在技术含量较高的通信电源模块中得到应用。

现在的电源模块仍主要应用在通信系统中，随着通信技术的发展，通信芯片所需的电压逐步降低，5V和3.3V早已成为主流，正向2.5V、1.5V甚至更低的方向发展。通信设备的集成度不断提高，分布式电源系统中单机功率不断增加，输出电流从早期的10-20A到现在的30-60A，并有不断增大的趋势，同时要求体积要不断减小。这就为同步整流技术提供了广泛的应用需求。

同步整流技术与传统技术的对比

在传统的次级整流电路中，肖特基二极管是低电压、大电流应用的首选。其导通压降大于0.4V，但当通信电源模块的输出电压随着通信技术发展而逐步降低时，采用肖特基二极管的电源模块效率损失惊人，在输出电压为5V时，效率可达85%左右，在输出电压为3.3V时，效率降为80%，1.5V输出时只有65%，应用已不现实。

在低输出电压应用中，同步整流技术有明显优势。功率MOSFET导通电流能力强，可以达到60A以上。采用同步整流技术后，次级整流的电压降等于MOSFET的导通压降，由MOSFET的导通电阻决定，而且控制技术的进步也降低了MOSFET的开关损耗。在过去三年中，用于同步整流的MOSFET工艺取得了突破性的进展，导通电阻下降到了原来的1/5。现在，采用经过特殊工艺处理的MOSFET，能达到非常低的导通电阻，如IR公司的产品IRHSNA57064，当通导电流为45A时，其导通电阻仅为5.6毫欧，并且已经批量生产。

同步整流技术提高了次级整流效率，使生产低电压、大电流、小体积的通信电源模块成为现实。

同步整流技术可以很好的适应芯片，有很广泛的运用。这是一块还未被开发的市场，大多数公司还没有被掌握，而且相应的成本也比较高。但随着同步整流的MOSFET产品批量生产，专用驱动芯片的出现，以及技术的成熟，同步整流将成为主流的电源技术。